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分子線エピタキシャル成長法(MBE法)を使って、GaAs、AlGaAs、GaAsNの薄膜を作製しています。これらの薄膜を組み合わせることにより、量子効果を観測することができます。そして、この量子効果を利用することにより、太陽電池の高効率化を目指しています。
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MBE法を用いて、GaN、InGaN、AlGaNの薄膜を作製しています。これらの薄膜を組み合わせることにより、高性能な透明薄膜トランジスタや高感度サーミスタなどへの応用を目指しています。
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TiAlNやGa2O3(酸化ガリウム)などの新しい薄膜材料に関して、電気的特性や光学的特性を解明する研究を行っています。そして、これらの薄膜を使って、高感度サーミスタや高出力トランジスタへの応用を目指しています。
