concept

この世にまだ無い
半導体デバイスを
自分で創って社会実装する

化合物半導体研究室西永 慈郎 教授

担当科目:回路理論A、電子回路A、
半導体ナノ工学特論

  • 研究紹介research

    スマホやパソコンで利用される半導体は、主にシリコン(Si)によって作られていますが、Siでは実現できない光学・電気的特性(発光、高周波)を利用する半導体デバイスは、化合物半導体によって作られています。西永研究室では化合物半導体を研究室内で合成し、結晶学的・電気的・光学的特性を評価することで、新しい半導体デバイスの創出を行っています。
    生命分野を含めた様々な環境で使用できるセンサや光源、エネルギーデバイスを提案し、社会実装を目指します。

  • メッセージmessage

    半導体を利用した回路は、ほとんどの産業分野に利用されています。半導体デバイスと半導体回路を理解すれば、どのような分野に進んでも、将来、必ず役に立ちます。西永研究室では、化合物半導体デバイスとSi集積回路の融合に挑戦しています。新しい半導体デバイスの研究を通して、コミュニケーション能力やチームワーク力を鍛え、社会から必要とされる人材に成長することを期待しています。

研究説明research activities

みなさんの身近にあるスマホやパソコンは、半導体によって作られています。計算を行うCPUや記憶を行うDRAMやSSDは、シリコン(Si)によって作られていますが、高周波アンプや発光ダイオード、OLEDディスプレイはSi以外の半導体(化合物半導体)よって作られています。図1に様々な半導体材料を示します。SiはIV族半導体と呼ばれ、Siだけで半導体特性を示します。III-V族半導体として、GaAsやGaNがありますが、バンドギャップエネルギーの違いから発光する色が変わります。GaAsは赤外光を発光し、InGaNは青色の発光をします。I-III-VI族化合物半導体であるCuInSe2は、光吸収係数が高く、多結晶薄膜でも高効率な太陽電池が得られるため、ガラス基板上の大型太陽電池が市販されています。

西永研究室はIII-V族化合物半導体GaAsと、I-III-VI族化合物半導体Cu(In,Ga)Se2(CIGS)を自分で成膜し、太陽電池や光検出器を作り、電気的特性・結晶学的特性を評価しています。化合物半導体は大学の研究室の装置(図2参照)で作ることができます。自分で半導体を作り、物性を評価する経験は、大企業に就職するとできません。体と頭を動かし、半導体物性を理解することを大切にしています。

計算機によるダイオード特性の解析も行っています。高効率な太陽電池を得るには、どのような材料を組み合わせれば良いか、計算科学的手法を用いて考察します。また、物質中での放射線挙動を計算するプログラムを用いて、半導体デバイスに放射線照射をすると、どのような影響が出るのか、実際の実験と比較しながら考察しています。放射線耐性は宇宙や原子力発電所に重要で、放射線耐性の高いI-III-VI族化合物半導体は、原子炉向けの耐放射線性カメラや、宇宙用太陽電池として期待されています。

  • 図1 様々な半導体材料

    図1:
    分子線エピタキシー
    装置

  • 分子線エピタキシー装置(Riber32)

    図2:
    様々な半導体材料(Riber32)

profile

profile

略歴ー

2007年
早稲田大学理工学術院 助手
2009年
JST さきがけ研究員(兼任)
2010年
早稲田大学高等研究所 助教
2012年
早稲田大学高等研究所 准教授
2014年
産業技術総合研究所 研究員
2017年
産業技術総合研究所 主任研究員
2023年
Helmholtz-Zentrum Berlin (HZB) Guest Research Scientist(兼任)

学歴ー

2003年
早稲田大学理工学部電気電子情報工学科 卒業
2005年
早稲田大学大学院理工学研究科修士課程 修了
2008年
早稲田大学大学院理工学研究科博士課程 修了、博士(工学)